深圳静态测试网带式气氛烤炉 客户至上 深圳市福和大自动化供应

无损检测焊料层的空洞一般采用X-RAY(X射线)无损检测，X-ray检测设备是一种通过x射线通过检测对象进行内部显像，然后通过检测图像直观地看到内部缺陷的检测方法。x射线无损检测普遍应用于半导体检测。可有效检测IGBT模块内的空洞率、位置和尺寸，有效帮助客户分析半导体的可靠性。两侧水冷IGBT是新能源汽车发展的需要，主要是为了解决车载逆变器的功率密度问题。与目前的IGBT模块相比，DCB在模块顶部形成了第二个排热通道，用于提高模块的散热效果。作为两侧水冷模块，首先需要保证塑料密封材料在不同温度下的机器一致性。22℃和150℃模块表面平整度好，防潮性能优异。增加模块上方的排热通道后，散热效果提高70%。需要注意的是，热阻值受表面影响很大，达到热阻。在电控模块中，IGBT模块是逆变器的较主要部件。深圳静态测试网带式气氛烤炉

IGBT模块的生产流程？可以看到IGBT模块横切面的界面，目前壳封工艺的模块基本结构都相差不大。IGBT模块封装的流程大致如下：贴片→真空回流焊接→超声波清洗→X-ray缺陷检测→引线键合→静态测试→二次焊接→壳体灌胶与固化→端子成形→功能测试（动态测试、绝缘测试、反偏测试），贴片，首先将IGBT wafer上的每一个die贴片到DBC上。DBC是覆铜陶瓷基板，中间是陶瓷，双面覆铜，DBC类似PCB起到导电和电气隔离等作用，常用的陶瓷绝缘材料为氧化铝（Al2O3）和氮化铝（AlN）；真空焊接，贴片后通过真空焊接将die与DBC固定，一般焊料是锡片或锡膏；X-ray空洞检测，需要检测在敢接过程中出现的气泡情况，即空洞，空洞的存在将会严重影响器件的热阻和散热效率，以致出现过温、烧坏、爆裂等问题。一般汽车IGBT模块要求空洞率低于1%；接下来是wire bonding工艺，用金属线将die和DBC键合，使用较多的是铝线，其他常用的包括铜线、铜带、铝带；中间会有一系列的外观检测、静态测试，过程中有问题的模块直接报废；重复以上工序将DBC焊接和键合到铜底板上，然后是灌胶、封壳、激光打码等工序；出厂前会做然后的功能测试，包括电气性能的动态测试、绝缘测试、反偏测试等等。广东外壳组装兼容设备什么是IGBT，功率半导体是半导体行业的细分领域，虽不像集成电路一样被大众熟知，但其重要性不可忽视。

汽车线束超声波焊机的刀头主要由焊部分组成：焊接头、顶部砧板连接块、顶部砧板和聚合物模块。焊接过程中，安排垂直连接，紧密连接铁砧。踏板开关后，聚合物模块进入砧板。同时，当连接到砧板的铁砧与向下移动的汽车线束紧急压在焊接区域时，焊头振动并将能量传递给铜线，使汽车线束焊接在一起。超声波塑料焊机发电机电源从国外进口IGBT放大功率，快速反应和恢复，IGBT与传统相比，功率模块MOS功率管反应速度快。超声波塑料焊机发生器的电源可以监控大功率超声波焊接传感器的工作频率、功率和热量。

IGBT模块动态、静态测试系统是IGBT模块研发和制造过程中重要的测试系统，行业初期由瑞士LEMSYS（Teradyne于2019年完成对LEMSYS的收购）、意大利CREA等国外品牌占据主要市场份额。随着光伏、新能源汽车等场景对IGBT模块需求的快速增长，加之贸易环境等因素，功率半导体行业整体进入了快速国产化的黄金年代。特别是下游客户对其封装后成品的测试要求较高，随着IGBT模块的自主可控、国产化进程加速，国产测试系统产品需求也逐渐迫切，但是该领域的测试系统还处于国产化初期的客户验证阶段，预计2022年将开启全方面国产化进程。一般来说，车规级IGBT需要2年左右的车型导入周期。

IGBT的工作原理，IGBT是将晶体管的特性和开关电路的特性结合在一起，使其成为一种可以控制电流的新型电子元件。IGBT的结构使其可以实现从开启到关断的电流控制，而不会产生过大的漏电流，也不会影响其他电路的工作。IGBT的工作原理是将电路的电流控制分为两个部分：绝缘栅极的电流控制和双极型晶体管的电流控制。当绝缘栅极上的电压变化时，它会影响到晶体管的导通，从而控制电流的流动。当双极型晶体管的电流控制发挥作用时，它会进一步控制电流的流动，从而使IGBT的效率更高。IGBT的主要参数：1、电压限制：IGBT的电压范围一般在600V-6.5kV之间。2、功率限制：IGBT的功率范围一般在1W-15MW之间。3、漏电流：IGBT的漏电流比MOSFET要小得多，一般在1mA-100mA之间。4、损耗：IGBT的损耗一般比MOSFET要低，可以达到1W-15MW之间。5、热效应：IGBT的热效应比MOSFET要小，可以达到20°C-150°C之间。6、反应时间：IGBT的反应时间一般比MOSFET要快，可以达到1ns-50ns之间。IGBT可以作为放大器，用来放大高频信号。深圳静态测试网带式气氛烤炉

IGBT发展至今这么长的时间，从传统的电力电子领域拓展到汽车电子领域，IGBT设备的性能也在不断提升。深圳静态测试网带式气氛烤炉

wafer阶段测试。目前wafer阶段测试，大部分晶圆厂或封装厂采用的都是静态测试。但是静态测试的条件比较有限，IGBT只能在低电压大电流或者高电压小电流的条件下工作，对芯片的筛选能力有限。而动态测试条件下，IGBT要在高电压和大电流下开通和关断，对其性能要求更加严苛，筛选标准更严格，若再配合高温短路测试，则筛选能力大幅提高。但是针对wafer的动态测试技术难度很高，实现起来非常困难，且测试设备极其昂贵，也不容易买到。所以wafer阶段的动态参数测试，现阶段不容易实现。深圳静态测试网带式气氛烤炉